Продукція > STMICROELECTRONICS > 2N2222AUB1
2N2222AUB1

2N2222AUB1 STMicroelectronics

en.CD00253894.pdf Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7043.22 грн
10+6789.14 грн
100+5466.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N2222AUB1 STMicroelectronics

Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB, Packaging: Tray, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: UB, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2N2222AUB1 за ціною від 6573.90 грн до 7043.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N2222AUB1 Виробник : STMicroelectronics 2n2222ahr.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 730mW 4-Pin Case UB Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+6573.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222AUB1 Виробник : STMicroelectronics 2n2222ahr.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 730mW 4-Pin Case UB Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7043.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222AUB1 Виробник : STMicroelectronics 2n2222ahr.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 730mW 4-Pin LCC-3UB Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222AUB1 Виробник : STMicroelectronics 2n2222ahr.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 730mW 4-Pin LCC-3UB Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222AUB1 2N2222AUB1 Виробник : STMicroelectronics en.CD00253894.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB
Packaging: Tray
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.