2N2222AUB1 STMicroelectronics


en.CD00253894.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N2222AUB1 STMicroelectronics

Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB, Packaging: Tray, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: UB, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2N2222AUB1 за ціною від 7040.95 грн до 7040.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N2222AUB1 STMicroelectronics 2n2222ahr.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 730mW 4-Pin Case UB Tray
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7040.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222AUB1 STMicroelectronics 2n2222ahr.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 730mW 4-Pin Case UB Tray
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222AUB1 2n2222ahr.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 730mW 4-Pin Case UB Tray
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+7040.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N2222AUB1 2n2222ahr.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 730mW 4-Pin Case UB Tray
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.