2N2369 Microchip Technology
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 296.97 грн |
| 100+ | 272.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N2369 Microchip Technology
Description: RF TRANS NPN 15V TO-18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Power - Max: 680mW, Current - Collector (Ic) (Max): 200mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V, Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA), Part Status: Active.
Інші пропозиції 2N2369
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N2369 | Виробник : MOT |
CAN |
на замовлення 198 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| 2N2369 | Виробник : MOTOROLA |
|
на замовлення 130000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
|
|
2N2369 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 3-Pin TO-18 |
товару немає в наявності |
|
|
2N2369 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 3-Pin TO-18 |
товару немає в наявності |
|
|
2N2369 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 3-Pin TO-18 |
товару немає в наявності |
|
|
2N2369 | Виробник : Microchip Technology |
Description: RF TRANS NPN 15V TO-18Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 680mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|
| 2N2369 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 15V 0.2A TO-18Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 360 mW |
товару немає в наявності |
||
|
2N2369 | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT TO-18 NPN FAST SW SS |
товару немає в наявності |
|
| 2N2369 | Виробник : onsemi |
|
товару немає в наявності |
||
| 2N2369 | Виробник : Broadcom / Avago |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |



