Технічний опис 2N2432 MOTOROLA
Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ), Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 300 mW.
Інші пропозиції 2N2432
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N2432 | Microchip Technology |
 Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 360mW 3-Pin TO-18 Bag |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
2N2432 | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
2N2432 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 30V 100mA 300mW NPN Small-Signal BJT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| 2N2432 |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 360mW 3-Pin TO-18 Bag
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 360mW 3-Pin TO-18 Bag
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N2432 |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N2432 |
|
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 30V 100mA 300mW NPN Small-Signal BJT
Bipolar Transistors - BJT 30V 100mA 300mW NPN Small-Signal BJT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.