Технічний опис 2N2432A MOT
Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ), Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA), Part Status: Discontinued at Digi-Key, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 300 mW.
Інші пропозиції 2N2432A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N2432A | Виробник : MOTOROLA |
 |
на замовлення 7600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
2N2432A | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 360mW 3-Pin TO-18 Bag |
товару немає в наявності |
|
 |
2N2432A | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin TO-18 Bag |
товару немає в наявності |
|
 |
2N2432A | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
товару немає в наявності |
|
 |
2N2432A | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT BJTs |
товару немає в наявності |