Технічний опис 2N2484 PBFREE Central Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 0.05A TO-18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA, Current - Collector Cutoff (Max): 2nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10µA, 5V, Frequency - Transition: 60MHz, Supplier Device Package: TO-18, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 360 mW.
Інші пропозиції 2N2484 PBFREE за ціною від 60.32 грн до 230.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N2484 PBFREE | Central Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.05A 360mW 3-Pin TO-18 Box |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N2484 PBFREE | Central Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.05A 360mW 3-Pin TO-18 Box |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N2484 PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS NPN 60V 0.05A TO-18Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 2nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10µA, 5V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 360 mW |
на замовлення 13439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2N2484 PBFREE | Central Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN Low Lvl SS |
на замовлення 1972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2N2484 PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 0.05A 360mW 3-Pin TO-18 Box
Trans GP BJT NPN 60V 0.05A 360mW 3-Pin TO-18 Box
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 60+ | 156.85 грн |
| 100+ | 114.29 грн |
| 500+ | 94.65 грн |
| 2N2484 PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 0.05A 360mW 3-Pin TO-18 Box
Trans GP BJT NPN 60V 0.05A 360mW 3-Pin TO-18 Box
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 90+ | 156.85 грн |
| 2N2484 PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 60V 0.05A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10µA, 5V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 360 mW
Description: TRANS NPN 60V 0.05A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10µA, 5V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 360 mW
на замовлення 13439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 230.71 грн |
| 10+ | 144.45 грн |
| 100+ | 100.16 грн |
| 500+ | 76.23 грн |
| 1000+ | 70.52 грн |
| 2000+ | 65.72 грн |
| 6000+ | 60.32 грн |
| 2N2484 PBFREE |
![]() |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Low Lvl SS
Bipolar Transistors - BJT NPN Low Lvl SS
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




