Технічний опис 2N2605UB Microchip Technology
Description: TRANS PNP 60V 0.03A UB, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500µA, 5V, Supplier Device Package: UB, Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 400 mW.
Інші пропозиції 2N2605UB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N2605UB | Виробник : Microchip Technology |
 Description: TRANS PNP 60V 0.03A UBPackaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500µA, 5V Supplier Device Package: UB Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 400 mW |
товару немає в наявності |
|
| 2N2605UB | Виробник : Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor |
товару немає в наявності |
||
| 2N2605UB | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT |
товару немає в наявності |