2N2605UB Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 60V 0.03A UB
Power - Max: 400 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Supplier Device Package: UB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500µA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N2605UB Microchip Technology
Description: TRANS PNP 60V 0.03A UB, Power - Max: 400 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA, Supplier Device Package: UB, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500µA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 4-SMD, No Lead, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції 2N2605UB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N2605UB | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 70V 30mA 400mW 3 Pin CER Small-Signal BJT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | |
| 2N2605UB | Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| 2N2605UB |
|
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 70V 30mA 400mW 3 Pin CER Small-Signal BJT
Bipolar Transistors - BJT 70V 30mA 400mW 3 Pin CER Small-Signal BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.