2N2712 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: 18V 100MA 200MW TH TRANSISTOR-SM
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Box
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N2712 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Description: 18V 100MA 200MW TH TRANSISTOR-SM, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Box.
Інші пропозиції 2N2712 TIN/LEAD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N2712 TIN/LEAD | Central Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 18Vcbo 18Vceo 5.0Vebo 18Vcb 2.8dB |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N2712 TIN/LEAD |
|
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 18Vcbo 18Vceo 5.0Vebo 18Vcb 2.8dB
Bipolar Transistors - BJT NPN 18Vcbo 18Vceo 5.0Vebo 18Vcb 2.8dB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.