Технічний опис 2N2857 TIN/LEAD Central Semiconductor
Description: 15V 40MA 200MW TH TRANSISTOR-SMA, Packaging: Box, Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Gain: 12.5dB ~ 19dB, Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 40mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V, Frequency - Transition: 1.9GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Supplier Device Package: TO-72.
Інші пропозиції 2N2857 TIN/LEAD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N2857 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp |
Description: 15V 40MA 200MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Box Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Gain: 12.5dB ~ 19dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V Frequency - Transition: 1.9GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz Supplier Device Package: TO-72 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
2N2857 TIN/LEAD | Central Semiconductor |
 Bipolar Transistors - BJT 30Vcbo 15Vceo 2.5V 40mA 200mW |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N2857 TIN/LEAD |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: 15V 40MA 200MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Box
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Gain: 12.5dB ~ 19dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 1.9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz
Supplier Device Package: TO-72
Description: 15V 40MA 200MW TH TRANSISTOR-SMA
Packaging: Box
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Gain: 12.5dB ~ 19dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 1.9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz
Supplier Device Package: TO-72
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2N2857 TIN/LEAD |
|
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 30Vcbo 15Vceo 2.5V 40mA 200mW
Bipolar Transistors - BJT 30Vcbo 15Vceo 2.5V 40mA 200mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.