Технічний опис 2N2857 MOT
Description: RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO-72, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Gain: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz, Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 40mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V, Frequency - Transition: 500MHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Supplier Device Package: TO-72, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції 2N2857
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
2N2857 | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO-72Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Gain: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V Frequency - Transition: 500MHz Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz Supplier Device Package: TO-72 Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
|
|
|
2N2857 | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT |
товару немає в наявності |
|
| 2N2857 | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |

