2N2857UB Microchip Technology
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 1700.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N2857UB Microchip Technology
Description: RF TRANS NPN 15V 0.04A UB, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Gain: 21dB, Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 40mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V, Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Supplier Device Package: UB, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції 2N2857UB за ціною від 1830.85 грн до 1830.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N2857UB | Виробник : Microchip Technology |
 Trans RF BJT NPN 15V 0.04A 200mW 4-Pin Case UB |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| 2N2857UB | Виробник : Microchip Technology |
Trans RF BJT NPN 15V 0.04A 200mW 4-Pin Case UB |
товару немає в наявності |
||||||
| 2N2857UB | Виробник : MICROSEMI |
UB/NPN Transistor 2N2857 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||
 |
2N2857UB | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: RF TRANS NPN 15V 0.04A UB Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz Supplier Device Package: UB Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
|||||
| 2N2857UB | Виробник : Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT |
товару немає в наявності |