2N2904A

2N2904A Microchip Technology


LDS_0186_2N2904_05_A_-3442363.pdf Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
на замовлення 115 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1851.16 грн
25+1738.63 грн
100+1474.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N2904A Microchip Technology

Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 600 mW.

Інші пропозиції 2N2904A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N2904A Виробник : MOT 122694-lds-0186-datasheet
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2904A Виробник : MOT 122694-lds-0186-datasheet CAN
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2904A
Код товару: 173151
Додати до обраних Обраний товар

122694-lds-0186-datasheet Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2904A 2N2904A Виробник : Microchip Technology 2n2904-2n2905-mil-prf-19500-290.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2904A 2N2904A Виробник : NXP Semiconductors nods.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3-Pin TO-39
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2904A 2N2904A Виробник : Microchip Technology lds-0186.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2904A 2N2904A Виробник : Microchip Technology 122694-lds-0186-datasheet Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.