2N2905 CDIL
Виробник: CDILCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.6/3W; TO39
Case: TO39
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Collector current: 0.6A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.6/3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
на замовлення 3141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 57.77 грн |
| 11+ | 37.70 грн |
| 25+ | 22.61 грн |
| 47+ | 19.24 грн |
| 129+ | 18.24 грн |
| 500+ | 18.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N2905 CDIL
Description: MULTICOMP PRO - 2N2905 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), hohe Schaltfrequenz, PNP, 40 V, 600 mA, 3 W, TO-39, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: TO-39, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Switching PNP Transistor, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції 2N2905 за ціною від 21.61 грн до 192.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N2905 | Виробник : CDIL |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.6/3W; TO39 Case: TO39 Frequency: 200MHz Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 100...300 Collector current: 0.6A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.6/3W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3141 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2N2905 | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N2905 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), hohe Schaltfrequenz, PNP, 40 V, 600 mA, 3 W, TO-39 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TO-39 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Switching PNP Transistor Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2N2905 | Виробник : Good-Ark Semiconductor |
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 600 mW |
на замовлення 1192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N2905 транзистор Код товару: 126070
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-39 fT: 200 MHz Uке, В: 40 V Uкб, В: 60 V Iк, А: 0,6 A |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||
 |
2N2905 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
2N2905 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| 2N2905 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 600 mW |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
2N2905 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
2N2905 | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
2N2905 | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| 2N2905 | Виробник : onsemi |
Array |
товару немає в наявності |