2N2905 MULTICOMP PRO
Виробник: MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N2905 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), hohe Schaltfrequenz, PNP, 40 V, 600 mA, 3 W, TO-39
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-39
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Switching PNP Transistor
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 112.34 грн |
| 10+ | 89.70 грн |
| 100+ | 64.18 грн |
| 500+ | 41.73 грн |
| 1000+ | 27.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N2905 MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N2905 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), hohe Schaltfrequenz, PNP, 40 V, 600 mA, 3 W, TO-39, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: TO-39, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Switching PNP Transistor, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції 2N2905 за ціною від 18.60 грн до 198.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N2905 | Виробник : Good-Ark Semiconductor |
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-39Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 600 mW |
на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| 2N2905 | Виробник : CDIL |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.6/3W; TO39 Kind of package: bulk Case: TO39 Type of transistor: PNP Mounting: THT Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.6/3W Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 100...300 Frequency: 200MHz Polarisation: bipolar |
на замовлення 2541 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| 2N2905 | Виробник : CDIL |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.6/3W; TO39 Kind of package: bulk Case: TO39 Type of transistor: PNP Mounting: THT Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.6/3W Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 100...300 Frequency: 200MHz Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2541 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
2N2905 транзистор Код товару: 126070
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні PNPКорпус: TO-39 fT: 200 MHz Uке, В: 40 V Uкб, В: 60 V Iк, А: 0,6 A |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
|
|
2N2905 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
2N2905 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 600mW 3-Pin TO-39 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| 2N2905 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-39Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 600 mW |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
2N2905 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO39Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
2N2905 | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
2N2905 | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| 2N2905 | Виробник : onsemi |
|
товару немає в наявності |




