2N2905AE3 Microchip Technology
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 63+ | 852.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N2905AE3 Microchip Technology
Description: TRANS PNP 60V 1UA TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 800 mW.
Інші пропозиції 2N2905AE3 за ціною від 793.86 грн до 1799.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N2905AE3 | Виробник : Microchip Technology |
 Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
2N2905AE3 | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
|
|
2N2905AE3 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
2N2905AE3 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
2N2905AE3 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
|
|
2N2905AE3 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
товар відсутній |
|||||||
 |
2N2905AE3 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 60V 1UA TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
товар відсутній |