Технічний опис 2N2906A MOT
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-18, Power - Max: 400 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Supplier Device Package: TO-18, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції 2N2906A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
2N2906A | Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 218 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N2906A | onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-18Power - Max: 400 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Supplier Device Package: TO-18 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
2N2906A | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP Small-Signal BJT THT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| 2N2906A | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
2N2906A | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| 2N2906A |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2N2906A |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-18
Power - Max: 400 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Supplier Device Package: TO-18
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-18
Power - Max: 400 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Supplier Device Package: TO-18
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2N2906A |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP Small-Signal BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N2906A |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N2906A |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.





