2N2906A MOT


8896-lds-0059-datasheet 2N,FTSO,PN NPN Type (10p).pdf Виробник: MOT

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N2906A MOT

Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 10V, Supplier Device Package: TO-18, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2N2906A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N2906A 2N2906A Виробник : Microchip Technology 2n2906-2n2907a-mil-prf-19500-291.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906A 2N2906A Виробник : Microchip Technology lds-0059.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906A 2N2906A Виробник : Microchip Technology 8896-lds-0059-datasheet Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906A Виробник : onsemi 2N,FTSO,PN NPN Type (10p).pdf Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 400 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2906A 2N2906A Виробник : Microchip Technology LDS_0059-1593948.pdf Bipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.