2N2906AUB Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 687.26 грн |
| 25+ | 676.56 грн |
| 100+ | 547.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N2906AUB Microchip Technology
Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 10V, Supplier Device Package: UB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 500 mW.
Інші пропозиції 2N2906AUB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N2906AUB | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 4-Pin Case UB Waffle |
товару немає в наявності |
|
| 2N2906AUB | Виробник : MICROSEMI |
UBPNP TRANSISTOR кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
2N2906AUB | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 10V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW |
товару немає в наявності |