Технічний опис 2N2907A TIN/LEAD Central Semiconductor
Description: 60V 600MA 400MW TH TRANSISTOR-SM, Packaging: Box, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: TO-18, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 400 mW.
Інші пропозиції 2N2907A TIN/LEAD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N2907A TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp |
 Description: 60V 600MA 400MW TH TRANSISTOR-SMPackaging: Box Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 400 mW |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
2N2907A TIN/LEAD | Central Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 60Vceo 5V 0.5A 400mW |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N2907A TIN/LEAD |
|
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: 60V 600MA 400MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 400 mW
Description: 60V 600MA 400MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 400 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2N2907A TIN/LEAD |
|
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 60Vceo 5V 0.5A 400mW
Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 60Vceo 5V 0.5A 400mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.