2N2907AE4 Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP Lead-Free Small-Signal BJT THT
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 329.65 грн |
| 100+ | 302.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N2907AE4 Microchip Technology
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V, Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 500 mW.
Інші пропозиції 2N2907AE4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N2907AE4 | Виробник : Microchip Technology |
Transistor PNP TO18 |
товару немає в наявності |
||
| 2N2907AE4 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 |
товару немає в наявності |
||
 |
2N2907AE4 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW |
товару немає в наявності |