2N2907AUB1 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 60 V, 0.6 A PNP transistor - Engineering model
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N2907AUB1 STMicroelectronics
Description: TRANS PNP 60V 0.5A UB, Packaging: Tray, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: UB, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.8 W.
Інші пропозиції 2N2907AUB1 за ціною від 6065.86 грн до 8648.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N2907AUB1 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS PNP 60V 0.5A UB Packaging: Tray Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.8 W |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| 2N2907AUB1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 730mW 4-Pin Case UB Tray |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| 2N2907AUB1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 730mW 4-Pin Case UB Tray |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|