2N2946A Microchip Technology


LDS_0236_2N2944A_46A-3442365.pdf Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1062.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N2946A Microchip Technology

Description: TRANS PNP 35V 0.1A TO46-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-46-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 500mV, Supplier Device Package: TO-46-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V, Power - Max: 400 mW.

Інші пропозиції 2N2946A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N2946A Виробник : MOTOROLA 124373-lds-0236-datasheet
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2946A 2N2946A Виробник : Microchip Technology lds-0236.pdf Trans GP BJT PNP 35V 0.1A 3-Pin TO-46
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2946A Виробник : Microchip Technology lds-0236.pdf Trans GP BJT PNP 35V 0.1A 3-Pin TO-46
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2946A Виробник : Microchip Technology 124373-lds-0236-datasheet Description: TRANS PNP 35V 0.1A TO46-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-46-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 500mV
Supplier Device Package: TO-46-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 400 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.