2N3019 PBFREE Central Semiconductor
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 99+ | 125.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N3019 PBFREE Central Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-39, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 800 mW.
Інші пропозиції 2N3019 PBFREE за ціною від 68.17 грн до 322.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N3019 PBFREE | Виробник : Central Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Box |
на замовлення 441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2N3019 PBFREE | Виробник : Central Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Box |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2N3019 PBFREE | Виробник : Central Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS |
на замовлення 4854 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 2N3019 PBFREE | Виробник : Central Semiconductor |
2N3019-CEN NPN THT transistors |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
2N3019 PBFREE | Виробник : Central Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Box |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
2N3019 PBFREE | Виробник : Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW |
товару немає в наявності |