Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > 2N3019

2N3019

122693-lds-0185-datasheet
Код товару: 119528
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції 2N3019 за ціною від 923.70 грн до 1597.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N3019 2N3019 Microchip Technology lds01852n3019.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+1357.78 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N3019 2N3019 Microchip Technology lds01852n3019.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+1357.78 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N3019 2N3019 Microchip Technology lds01852n3019.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1597.39 грн
10+1594.06 грн
25+1579.63 грн
50+1508.24 грн
100+1296.49 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N3019 2N3019 MULTICOMP PRO 2861179.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N3019 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Single Transistor
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 2039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N3019 2N3019 Microchip Technology 122693-lds-0185-datasheet Description: TRANS NPN 80V 1A TO-5
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-5
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1032.95 грн
100+923.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N3019 2N3019 Microchip Technology lds-0185_2N3019.pdf Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N3019 lds01852n3019.pdf
2N3019
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
70+1357.78 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N3019 lds01852n3019.pdf
2N3019
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
70+1357.78 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N3019 lds01852n3019.pdf
2N3019
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+1597.39 грн
10+1594.06 грн
25+1579.63 грн
50+1508.24 грн
100+1296.49 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N3019 2861179.pdf
2N3019
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N3019 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Single Transistor
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 2039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N3019 122693-lds-0185-datasheet
2N3019
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-5
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-5
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1032.95 грн
100+923.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N3019 lds-0185_2N3019.pdf
2N3019
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.