Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції 2N3019 за ціною від 23.27 грн до 1215.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N3019 | CDIL |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.8/5W; TO39 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 0.8/5W Case: TO39 Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 100MHz |
на замовлення 5375 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2N3019 | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-5Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: TO-5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2N3019 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT |
на замовлення 10 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2N3019 | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA |
на замовлення 1338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2N3019 | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA |
на замовлення 1338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2N3019 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N3019 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TO-39 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Single Transistor Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C |
на замовлення 2039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3019 | CDIL |
Transistor NPN; 300; 800mW, 80V; 1A; 100MHz, -65°C ~ 200°C; 2N3019-CDI 2N3019 T2N3019кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| 2N3019 |
![]() |
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.8/5W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8/5W
Case: TO39
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.8/5W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8/5W
Case: TO39
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
на замовлення 5375 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 89.68 грн |
| 8+ | 58.02 грн |
| 25+ | 34.83 грн |
| 39+ | 24.59 грн |
| 106+ | 23.27 грн |
| 2N3019 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 978.81 грн |
| 100+ | 875.17 грн |
| 2N3019 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT
на замовлення 10 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1060.54 грн |
| 100+ | 970.54 грн |
| 2N3019 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1215.93 грн |
| 2N3019 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 1215.93 грн |
| 2N3019 |
![]() |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N3019 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Single Transistor
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Description: MULTICOMP PRO - 2N3019 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Single Transistor
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 2039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







