Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції 2N3019 за ціною від 26.33 грн до 1593.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N3019 | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2N3019 | CDIL |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.8/5W; TO39 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 80V Power dissipation: 0.8/5W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Current gain: 100...300 Kind of package: bulk Case: TO39 Frequency: 100MHz Collector current: 1A |
на замовлення 447 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2N3019 | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-5Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-5 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk |
на замовлення 666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2N3019 | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2N3019 | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2N3019 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
2N3019 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N3019 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TO-39 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Single Transistor Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C |
на замовлення 2039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2N3019 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 70+ | 1354.75 грн |
| 2N3019 |
![]() |
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.8/5W; TO39
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 80V
Power dissipation: 0.8/5W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 100...300
Kind of package: bulk
Case: TO39
Frequency: 100MHz
Collector current: 1A
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.8/5W; TO39
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 80V
Power dissipation: 0.8/5W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 100...300
Kind of package: bulk
Case: TO39
Frequency: 100MHz
Collector current: 1A
на замовлення 447 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 74.75 грн |
| 9+ | 48.76 грн |
| 25+ | 29.29 грн |
| 100+ | 26.33 грн |
| 2N3019 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-5
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-5
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-5
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-5
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 978.67 грн |
| 100+ | 875.29 грн |
| 2N3019 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 70+ | 1354.75 грн |
| 2N3019 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 1593.83 грн |
| 10+ | 1590.51 грн |
| 25+ | 1576.11 грн |
| 50+ | 1504.88 грн |
| 100+ | 1293.60 грн |
| 2N3019 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N3019 |
![]() |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N3019 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Single Transistor
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Description: MULTICOMP PRO - 2N3019 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Single Transistor
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 2039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







