2N3055AG ON Semiconductor
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 410.94 грн |
| 50+ | 377.84 грн |
| 100+ | 372.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N3055AG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N3055AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 15 A, 115 W, TO-204, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2.5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TO-204, Dauerkollektorstrom: 15A, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 6MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції 2N3055AG за ціною від 188.35 грн до 502.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N3055AG | Виробник : onsemi |
 Bipolar Transistors - BJT 15A 60V 115W NPN |
на замовлення 947 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N3055AG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N3055AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 15 A, 115 W, TO-204, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2.5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-204 Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 6MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N3055AG | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 15A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 7A, 15A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 4A, 2V Frequency - Transition: 6MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 115 W |
на замовлення 7230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2N3055AG Код товару: 212417
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
 |
2N3055AG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
2N3055AG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
2N3055AG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| 2N3055AG | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 15A; 115W; TO204,TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 15A Power dissipation: 115W Case: TO3; TO204 Mounting: THT Kind of package: in-tray Frequency: 2.5MHz Current gain: 10...70 |
товару немає в наявності |