2N3055G ON Semiconductor
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 183.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N3055G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N3055G - TRANSISTOR, NPN, 60V, 15A, TO3, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TO-204AA, Dauerkollektorstrom: 15A, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2.5MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції 2N3055G за ціною від 137.84 грн до 472.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N3055G | Виробник : ONSEMI |
 Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 15A; 115W; TO204,TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 15A Power dissipation: 115W Case: TO3; TO204 Current gain: 20...70 Mounting: THT Kind of package: in-tray Frequency: 2.5MHz |
на замовлення 147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N3055G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2N3055G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 15A; 115W; TO204,TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 15A Power dissipation: 115W Case: TO3; TO204 Current gain: 20...70 Mounting: THT Kind of package: in-tray Frequency: 2.5MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 147 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N3055G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 15A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2.5MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 115 W |
на замовлення 3466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N3055G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN 15A 60V |
на замовлення 2891 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| 2N3055G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N3055G - TRANSISTOR, NPN, 60V, 15A, TO3 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-204AA Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2.5MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
2N3055G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
2N3055G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товару немає в наявності |