2N3055G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 287.04 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
100 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N3055G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N3055G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 15 A, 115 W, TO-204AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 115W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-204AA, Dauerkollektorstrom: 15A, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 2.5MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C.
Інші пропозиції 2N3055G за ціною від 144.80 грн до 525.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N3055G | ONSEMI |
  Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 15A; 115W; TO204,TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 15A Case: TO3; TO204 Mounting: THT Frequency: 2.5MHz Power dissipation: 115W Current gain: 20...70 Kind of package: in-tray |
на замовлення 197 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2N3055G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2N3055G | onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 15A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2.5MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 115 W |
на замовлення 2492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2N3055G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN 15A 60V |
на замовлення 6244 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2N3055G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2N3055G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N3055G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 15 A, 115 W, TO-204AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 115W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-204AA Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 2.5MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C |
на замовлення 797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2N3055G |
|
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 15A; 115W; TO204,TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 15A
Case: TO3; TO204
Mounting: THT
Frequency: 2.5MHz
Power dissipation: 115W
Current gain: 20...70
Kind of package: in-tray
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 15A; 115W; TO204,TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 15A
Case: TO3; TO204
Mounting: THT
Frequency: 2.5MHz
Power dissipation: 115W
Current gain: 20...70
Kind of package: in-tray
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 303.07 грн |
| 5+ | 190.64 грн |
| 14+ | 179.91 грн |
| 25+ | 174.13 грн |
| 50+ | 173.31 грн |
| 2N3055G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 41+ | 350.85 грн |
| 2N3055G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 15A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2.5MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 115 W
Description: TRANS NPN 60V 15A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2.5MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 115 W
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 436.57 грн |
| 10+ | 281.87 грн |
| 100+ | 203.25 грн |
| 500+ | 159.32 грн |
| 1000+ | 149.23 грн |
| 2000+ | 145.71 грн |
| 2N3055G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN 15A 60V
Bipolar Transistors - BJT NPN 15A 60V
на замовлення 6244 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 469.27 грн |
| 10+ | 291.84 грн |
| 100+ | 174.79 грн |
| 400+ | 155.04 грн |
| 1200+ | 149.92 грн |
| 2800+ | 146.27 грн |
| 5200+ | 144.80 грн |
| 2N3055G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Trans GP BJT NPN 60V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 525.27 грн |
| 10+ | 354.82 грн |
| 2N3055G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N3055G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 15 A, 115 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-204AA
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2.5MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Description: ONSEMI - 2N3055G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 15 A, 115 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-204AA
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2.5MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)