2N3117 PBFREE

2N3117 PBFREE Central Semiconductor


2n3117.pdf Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 0.05A 360mW 3-Pin TO-18
на замовлення 1571 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+385.60 грн
25+372.35 грн
100+295.43 грн
250+271.59 грн
500+225.92 грн
1000+203.58 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N3117 PBFREE Central Semiconductor

Description: TRANS NPN 60V 0.05A TO18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10µA, 5V, Supplier Device Package: TO-18, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 360 mW.

Інші пропозиції 2N3117 PBFREE за ціною від 219.24 грн до 487.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N3117 PBFREE 2N3117 PBFREE Виробник : Central Semiconductor 2n3117.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.05A 360mW 3-Pin TO-18
на замовлення 1571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+415.26 грн
31+400.99 грн
100+318.15 грн
250+292.48 грн
500+243.30 грн
1000+219.24 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
2N3117 PBFREE 2N3117 PBFREE Виробник : Central Semiconductor CSEM_S_A0011843154_1-2539361.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Low Lvl SS
на замовлення 3196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+487.34 грн
10+409.18 грн
25+346.11 грн
100+275.99 грн
250+264.81 грн
500+240.19 грн
1000+235.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N3117 PBFREE 2N3117 PBFREE Виробник : Central Semiconductor 2n3117.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.05A 360mW 3-Pin TO-18
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N3117 PBFREE 2N3117 PBFREE Виробник : Central Semiconductor Corp 2N3117.PDF Description: TRANS NPN 60V 0.05A TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10µA, 5V
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 360 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.