2N3421 Microchip Technology
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1969.66 грн |
| 25+ | 1940.67 грн |
| 100+ | 1553.46 грн |
| 250+ | 1531.23 грн |
| 500+ | 1520.12 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N3421 Microchip Technology
Description: TRANS NPN 80V 3A TO5, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 5µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V, Supplier Device Package: TO-5, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції 2N3421
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N3421 | Microchip Technology |
 Description: TRANS NPN 80V 3A TO5Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V Supplier Device Package: TO-5 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | |
 |
2N3421 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
2N3421 | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 3A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N3421 |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 80V 3A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: TO-5
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 80V 3A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: TO-5
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2N3421 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N3421 |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 80V 3A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
Trans GP BJT NPN 80V 3A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.