Технічний опис 2N3439L Microsemi
Description: TRANS NPN 350V 1A TO5, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 2µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V, Supplier Device Package: TO-5, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 800 mW.
Інші пропозиції 2N3439L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N3439L | Виробник : N/A |
 |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
2N3439L | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 350V 1A 800mW 3-Pin TO-5 Bag |
товар відсутній |
|
 |
2N3439L | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 350V 1A 800mW 3-Pin TO-5 Bag |
товар відсутній |
|
 |
2N3439L | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 350V 1A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: TO-5 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 800 mW |
товар відсутній |