2N3439U4 Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 350V 1A U4
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: U4
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Tray
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N3439U4 Microchip Technology
Description: TRANS NPN 350V 1A U4, Power - Max: 800 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: U4, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 2µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Packaging: Tray.
Інші пропозиції 2N3439U4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N3439U4 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Power BJT SMT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N3439U4 |
|
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Power BJT SMT
Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Power BJT SMT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.