Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > 2N3439UA

2N3439UA Microchip Technology

Name: 2N3439UA
Brand: Microchip Technology
SKU: 130160-4
Price: 3489.17 UAH
Availability: InStock

Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Power BJT SMT

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	3489.17 грн
100+	3193.60 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 2N3439UA Microchip Technology

Description: TRANS NPN 350V 1A, Power - Max: 800 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Part Status: Active, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 2µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 4-SMD, No Lead, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції 2N3439UA

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	2N3439UA	MICROSEMI	NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR 2N3439 кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	2N3439UA	Microchip Technology	Description: TRANS NPN 350V 1A Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн.

2N3439UA

Виробник: MICROSEMI
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR 2N3439
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

2N3439UA

Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 350V 1A
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.