2N3439UA Microchip Technology
на замовлення 6976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 1503.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N3439UA Microchip Technology
Description: TRANS NPN 350V 1A, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 2µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 800 mW.
Інші пропозиції 2N3439UA за ціною від 1618.67 грн до 3607 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N3439UA | Виробник : Microchip Technology |
 Trans GP BJT NPN 350V 1A 800mW 4-Pin UA Waffle |
на замовлення 6976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
2N3439UA | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 350V 1A 800mW 4-Pin UA Waffle |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
2N3439UA | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 350V 1A 800mW 4-Pin UA Waffle |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
2N3439UA | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 350V 1A 800mW 4-Pin UA Waffle |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
2N3439UA | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 350 V Power BJT |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
| 2N3439UA | Виробник : MICROSEMI |
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR 2N3439 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
 |
2N3439UA | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 350V 1A Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 800 mW |
товар відсутній |