Технічний опис 2N3440E3 Microchip Technology
Description: TRANS NPN 250V 1A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 2µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V, Power - Max: 800 mW.
Інші пропозиції 2N3440E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N3440E3 | Microchip Technology |
 Description: TRANS NPN 250V 1A TO39Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 800 mW |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
2N3440E3 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW Lead-Free Power BJT THT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N3440E3 |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 250V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 800 mW
Description: TRANS NPN 250V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2N3440E3 |
|
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW Lead-Free Power BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW Lead-Free Power BJT THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.