Технічний опис 2N3440L MOTOROLA
Description: TRANS NPN 250V 1A TO-5, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-5, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 2µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Packaging: Bulk, Power - Max: 800 mW.
Інші пропозиції 2N3440L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N3440L | Виробник : Microchip Technology |
 Trans GP BJT NPN 250V 1A 800mW 3-Pin TO-5 Bag |
товару немає в наявності |
|
 |
2N3440L | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 250V 1A TO-5 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-5 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk Power - Max: 800 mW |
товару немає в наявності |
|
 |
2N3440L | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW Long-Lead Power BJT THT |
товару немає в наявності |