Технічний опис 2N3494 MOT
Description: SMALL-SIGNAL BJT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: TO-5AA, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 600 mW.
Інші пропозиції 2N3494
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N3494 | Виробник : MOTOROLA |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
 |
2N3494 | Виробник : Microchip Technology |
Description: SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-5AA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 600 mW |
товар відсутній |
|
| 2N3494 | Виробник : Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |