Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > 2N3501
2N3501

2N3501 Microchip Technology

2N3498-2N3501-LDS-0276-MIL-PRF-19500-366.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+700.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N3501 Microchip Technology

Description: MULTICOMP PRO - 2N3501 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 300 mA, 1 W, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: NO, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: NO, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-39, Dauerkollektorstrom: 300mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Power NPN Transistors, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C.

Інші пропозиції 2N3501

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N3501 2N3501 Microchip Technology lds_0276_2N3498_01.pdf Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN Small-Signal BJT THT
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N3501 2N3501 MULTICOMP PRO 2861185.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N3501 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 300 mA, 1 W, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-39
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power NPN Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N3501 lds_0276_2N3498_01.pdf
2N3501
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN Small-Signal BJT THT
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N3501 2861185.pdf
2N3501
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N3501 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 300 mA, 1 W, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-39
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power NPN Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.