
2N3501 MULTICOMP PRO

Description: MULTICOMP PRO - 2N3501 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 300 mA, 1 W, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power NPN Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 193.74 грн |
10+ | 154.67 грн |
100+ | 110.71 грн |
500+ | 71.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N3501 MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N3501 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 300 mA, 1 W, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 300mA, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-39, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Power NPN Transistors, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції 2N3501 за ціною від 744.39 грн до 812.74 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N3501 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 144 шт: термін постачання 529-538 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
2N3501 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
2N3501 | Виробник : Semicoa Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
2N3501 | Виробник : Semelab (TT electronics) |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
2N3501 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
2N3501 | Виробник : Semelab |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
2N3501 | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||
![]() |
2N3501 | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1 W |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
2N3501 | Виробник : Semelab / TT Electronics |
![]() |
товару немає в наявності |