Продукція > MULTICOMP PRO > 2N3501
2N3501

2N3501 MULTICOMP PRO

125197-lds-0276-datasheet Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N3501 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 300 mA, 1 W, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-39
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power NPN Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+190.18 грн
10+152.49 грн
100+108.80 грн
500+70.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N3501 MULTICOMP PRO

Description: MULTICOMP PRO - 2N3501 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 300 mA, 1 W, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: NO, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: NO, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-39, Dauerkollektorstrom: 300mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Power NPN Transistors, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції 2N3501 за ціною від 783.38 грн до 855.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N3501 2N3501 Виробник : Microchip Technology lds_0276_2N3498_01-3442789.pdf Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN Small-Signal BJT THT
на замовлення 144 шт:
термін постачання 529-538 дні (днів)
Кількість Ціна
1+855.32 грн
100+783.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N3501 2N3501 Виробник : Microchip Technology lds-0056.pdf Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 1000mW 3-Pin TO-39
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N3501 2N3501 Виробник : Semicoa Semiconductors 2n3501-r.pdf Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 3-Pin TO-39
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N3501 2N3501 Виробник : Semelab (TT electronics) sf_2n3501.pdf Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 1000mW 3-Pin TO-39
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N3501 2N3501 Виробник : Microchip Technology lds-0056.pdf Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 1000mW 3-Pin TO-39
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N3501 2N3501 Виробник : Semelab sf_2n3501.pdf Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 3-Pin TO-39
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N3501 Виробник : MICROSEMI 125197-lds-0276-datasheet TO39/300 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 2N3501
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N3501 2N3501 Виробник : Microchip Technology 125197-lds-0276-datasheet Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N3501 2N3501 Виробник : Semelab / TT Electronics SEMES08775_1-2565273.pdf Bipolar Transistors - BJT TRANS BI-POLAR POWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.