Технічний опис 2N3501L MOTOROLA
Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO5, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Supplier Device Package: TO-5, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції 2N3501L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
2N3501L | Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO5Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Supplier Device Package: TO-5 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
|
2N3501L | Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT BJTs |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
|
2N3501L | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN Long-Lead Small-Signal BJT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N3501L |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO5
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Supplier Device Package: TO-5
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO5
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Supplier Device Package: TO-5
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2N3501L |
![]() |
Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT BJTs
Bipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2N3501L |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN Long-Lead Small-Signal BJT
Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN Long-Lead Small-Signal BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.




