Технічний опис 2N3501UB/TR Microchip Technology
Description: TRANS NPN 150V 0.3A UB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: UB, Grade: Military, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 500 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/366.
Інші пропозиції 2N3501UB/TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N3501UB/TR | Виробник : Microchip Technology |
 Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 500mW 4-Pin Case UB T/R |
товару немає в наявності |
||
| 2N3501UB/TR | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 500mW 4-Pin Case UB T/R |
товару немає в наявності |
||
 |
2N3501UB/TR | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 150V 0.3A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/366 |
товару немає в наявності |
|
 |
2N3501UB/TR | Виробник : Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT BJTs |
товару немає в наявності |
|
|
|
2N3501UB/TR | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN 3 Pin CER Small-Signal BJT TR |
товару немає в наявності |