2N3506L

2N3506L Microchip Technology


lds-0016-1.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 40V 3A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N3506L Microchip Technology

Description: TRANS NPN 40V 3A TO-5AA, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V, Supplier Device Package: TO-5AA, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції 2N3506L

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N3506L 2N3506L Виробник : Microchip Technology 124335-lds-0016-1-datasheet Description: TRANS NPN 40V 3A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V
Supplier Device Package: TO-5AA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N3506L 2N3506L Виробник : Microchip Technology 124335-lds-0016-1-datasheet Bipolar Transistors - BJT 40V 3A 1W Long-Lead Power BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.