Технічний опис 2N3583 MOT
Description: TRANS NPN 175V 1A TO66, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Current - Collector Cutoff (Max): 10mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 10V, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V, Power - Max: 35 W.
Інші пропозиції 2N3583
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N3583 | Виробник : SSI | 0546 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
2N3583 | Виробник : Microchip Technology |
 Trans GP BJT NPN 175V 1A 35000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray |
товару немає в наявності |
|
|
|
2N3583 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 175V 1A 35000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray |
товару немає в наявності |
|
 |
2N3583 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 175V 1A 35000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray |
товару немає в наявності |
|
 |
2N3583 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 175V 1A TO66 Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Power - Max: 35 W |
товару немає в наявності |
|
 |
2N3583 | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товару немає в наявності |