на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 51537.02 грн |
| 25+ | 50506.04 грн |
| 100+ | 48445.13 грн |
| 500+ | 44726.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N3599 GENERAL SEMI GSI
Description: POWER BJT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud, Mounting Type: Stud Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Supplier Device Package: TO-63, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 100 W.
Інші пропозиції 2N3599
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N3599 | Виробник : Microchip Technology |
Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Supplier Device Package: TO-63 Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 100 W |
товару немає в наявності |
||
| 2N3599 | Виробник : Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товару немає в наявності |