2N3634 Microchip Technology
на замовлення 100 шт:
термін постачання 410-419 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 753.58 грн |
| 100+ | 689.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N3634 Microchip Technology
Description: TRANS PNP 140V 1A TO-39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V, Supplier Device Package: TO-39, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції 2N3634
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N3634 | Виробник : MOT |
 CAN |
на замовлення 328 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| 2N3634 | Виробник : MOTOROLA |
|
на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
2N3634 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 140V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 |
товару немає в наявності |
|
 |
2N3634 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 140V 1A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 1 W |
товару немає в наявності |
|
|
|
2N3634 | Виробник : Microchip / Microsemi |
Bipolar Transistors - BJT BJTs |
товару немає в наявності |