Продукція > MULTICOMP PRO > 2N3637
2N3637

2N3637 MULTICOMP PRO

8968-lds-0156-datasheet Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N3637 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 175 V, 1 A, 5 W, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 175V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+224.86 грн
10+179.89 грн
100+128.98 грн
500+83.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N3637 MULTICOMP PRO

Description: MULTICOMP PRO - 2N3637 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 175 V, 1 A, 5 W, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: TO-39, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 175V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції 2N3637 за ціною від 1007.32 грн до 1100.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N3637 2N3637 Виробник : Microchip Technology 2N3634_2N3637UB_LDS_0156_MIL_PRF_19500_357-3500071.pdf Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W Small-Signal BJT THT
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1100.46 грн
100+1007.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N3637 Виробник : MOT 8968-lds-0156-datasheet CAN
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N3637 Виробник : MOT 8968-lds-0156-datasheet SOT323
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N3637 Виробник : MOTOROLA 8968-lds-0156-datasheet
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N3637 2N3637 Виробник : Semelab (TT electronics) 1492n3637.pdf Trans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N3637 2N3637 Виробник : Microchip Technology 2n3634-2n3637ub-lds-0156-mil-prf-19500-357.pdf Trans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N3637 2N3637 Виробник : Microchip Technology 2n3634-2n3637ub-lds-0156-mil-prf-19500-357.pdf Trans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N3637 2N3637 Виробник : Microchip Technology 8968-lds-0156-datasheet Description: TRANS PNP 175V 1A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.