Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > 2N3637
2N3637

2N3637 Microchip Technology

2N3634_2N3637UB_LDS_0156_MIL_PRF_19500_357.pdf
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W Small-Signal BJT THT
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N3637 Microchip Technology

Description: MULTICOMP PRO - 2N3637 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 175 V, 1 A, 5 W, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: NO, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: NO, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-39, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 175V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C.

Інші пропозиції 2N3637

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N3637 2N3637 MULTICOMP PRO 2861186.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N3637 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 175 V, 1 A, 5 W, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-39
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 175V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N3637 MOT 2N3634-2N3637UB-LDS-0156-MIL-PRF-19500-357.pdf SOT323
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N3637 2861186.pdf
2N3637
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N3637 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 175 V, 1 A, 5 W, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-39
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 175V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N3637 2N3634-2N3637UB-LDS-0156-MIL-PRF-19500-357.pdf
Виробник: MOT
SOT323
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.