2N3637 MULTICOMP PRO
Виробник: MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N3637 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 175 V, 1 A, 5 W, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TO-39
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 175V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 213.31 грн |
| 10+ | 170.48 грн |
| 100+ | 121.65 грн |
| 500+ | 79.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N3637 MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N3637 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 175 V, 1 A, 5 W, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: NO, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: NO, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: TO-39, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 175V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції 2N3637 за ціною від 972.20 грн до 1062.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N3637 | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W Small-Signal BJT THT |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
| 2N3637 | Виробник : MOT |
CAN |
на замовлення 458 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
| 2N3637 | Виробник : MOT |
SOT323 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
| 2N3637 | Виробник : MOTOROLA |
|
на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
|
2N3637 | Виробник : Semelab (TT electronics) |
Trans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 |
товару немає в наявності |
|||||||
|
2N3637 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||
|
2N3637 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||
|
2N3637 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 175V 1A TO-39Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Power - Max: 1 W |
товару немає в наявності |



