2N3637UB Microchip Technology


2N3634-2N3637UB-LDS-0156-MIL-PRF-19500-357.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 175V 1A UB
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: UB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Tray
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+949.26 грн
100+848.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N3637UB Microchip Technology

Description: TRANS PNP 175V 1A UB, Power - Max: 1.5 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Supplier Device Package: UB, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Packaging: Tray.

Інші пропозиції 2N3637UB за ціною від 897.48 грн до 979.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2N3637UB 2N3637UB Microchip Technology 2N3634-2N3637UB-LDS-0156-MIL-PRF-19500-357.pdf Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W 3 Pin CER Small-Signal BJT THT
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+979.60 грн
100+897.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N3637UB 2N3634-2N3637UB-LDS-0156-MIL-PRF-19500-357.pdf
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W 3 Pin CER Small-Signal BJT THT
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+979.60 грн
100+897.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.