2N3702 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: 25V 200MA 360MW TH TRANSISTOR-SM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50µA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Box
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 100MHz
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N3702 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Description: 25V 200MA 360MW TH TRANSISTOR-SM, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50µA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Box, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Frequency - Transition: 100MHz.
Інші пропозиції 2N3702 TIN/LEAD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N3702 TIN/LEAD | Central Semiconductor |
 Bipolar Transistors - BJT PNP 40Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 12pF |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N3702 TIN/LEAD |
|
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP 40Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 12pF
Bipolar Transistors - BJT PNP 40Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 12pF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.