2N3704 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: 30V 800MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Box
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N3704 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Description: 30V 800MA 625MW TH TRANSISTOR-SM, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Box.
Інші пропозиції 2N3704 TIN/LEAD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N3704 TIN/LEAD | Central Semiconductor |
 Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 800mA HFE/300 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N3704 TIN/LEAD |
|
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 800mA HFE/300
Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 800mA HFE/300
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.