2N3735 Microchip Technology
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1086.85 грн |
| 10+ | 1070.46 грн |
| 100+ | 864.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N3735 Microchip Technology
Description: TRANS NPN 40V 1.5A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції 2N3735
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
2N3735 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 40V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
товару немає в наявності |
|
| 2N3735 | Виробник : MICROSEMI |
TO-39/NPN TRANSISTOR 2N3735кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
|
2N3735 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 40V 1.5A TO39Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1 W |
товару немає в наявності |


