Технічний опис 2N3738 MOTOROLA
Description: TRANS 225V 1A TO66, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 25mA, 250mA, Current - Collector Cutoff (Max): 250µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 10V, Frequency - Transition: 10MHz, Supplier Device Package: TO-66, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 225 V, Power - Max: 20 W.
Інші пропозиції 2N3738
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N3738 | Виробник : Microchip Technology |
 Trans GP BJT NPN 225V 1A 20000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray |
товару немає в наявності |
|
 |
2N3738 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 225V 1A 20000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray |
товару немає в наявності |
|
 |
2N3738 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 225V 1A TO66 Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 225 V Power - Max: 20 W |
товару немає в наявності |
|
| 2N3738 | Виробник : Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS 225V 1A TO66 Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 25mA, 250mA Current - Collector Cutoff (Max): 250µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-66 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 225 V Power - Max: 20 W |
товару немає в наявності |
||
 |
2N3738 | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товару немає в наявності |