Технічний опис 2N3740 MOT
Description: PNP TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 125mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 1V, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 25 W.
Інші пропозиції 2N3740
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N3740 | Microchip Technology |
 Description: PNP TRANSISTORPackaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 125mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 25 W |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
2N3740 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 60V 4A 25W NPN Power BJT THT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| 2N3740 | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| 2N3740 |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: PNP TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 125mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
Description: PNP TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 125mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2N3740 |
|
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 60V 4A 25W NPN Power BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 60V 4A 25W NPN Power BJT THT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.