2N3747 Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: POWER BJT
Power - Max: 30 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-111
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Stud Mount
Package / Case: TO-111-4, Stud
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N3747 Microchip Technology
Description: POWER BJT, Power - Max: 30 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Supplier Device Package: TO-111, Transistor Type: PNP, Mounting Type: Stud Mount, Package / Case: TO-111-4, Stud, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції 2N3747
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N3747 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N3747 |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.