2N3810 Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-78-6
Part Status: Active
Description: TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-78-6
Part Status: Active
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1082.71 грн |
100+ | 968.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N3810 Microchip Technology
Description: TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-78-6 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Power - Max: 350mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: TO-78-6, Part Status: Active.
Інші пропозиції 2N3810 за ціною від 1077.52 грн до 1667.53 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N3810 | Виробник : Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N3810 | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 350mW 6-Pin TO-78 Bag |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N3810 | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 350mW 6-Pin TO-78 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||||
2N3810 | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 350mW 6-Pin TO-78 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||||
2N3810 | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 350mW 6-Pin TO-78 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||||
2N3810 | Виробник : MICROSEMI |
TO78/PNP DUAL TRANSISTORS 2N3810 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
2N3810 | Виробник : SOLID STATE |
Description: SOLID STATE - 2N3810 - Bipolares Transistor-Array, PNP, -60 V, -50 mA, 600 mW, 150 hFE, TO-78 Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 150 Verlustleistung Pd: 600 Bauform - Transistor: TO-78 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -60 Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: -50 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товар відсутній |