Технічний опис 2N3810L Microchip Technology
Description: TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-78-6 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Power - Max: 350mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: TO-78-6.
Інші пропозиції 2N3810L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N3810L | Виробник : Microchip Technology |
 Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 600mW 6-Pin TO-78 Bag |
товару немає в наявності |
|
| 2N3810L | Виробник : MICROSEMI |
TO78/PNP SILICON DUAL TRANSISTORS 2N3810 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| 2N3810L | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78 Packaging: Bulk Package / Case: TO-78-6 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-78-6 |
товару немає в наявності |
||
 |
2N3810L | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT |
товару немає в наявності |