Технічний опис 2N3810L Microchip Technology
Description: TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78, Supplier Device Package: TO-78-6, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Power - Max: 350mW, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: 2 PNP (Dual), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-78-6 Metal Can, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції 2N3810L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N3810L | MICROSEMI |
 TO78/PNP SILICON DUAL TRANSISTORS 2N3810кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| 2N3810L | Microchip Technology |
Description: TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78 Supplier Device Package: TO-78-6 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Power - Max: 350mW Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: 2 PNP (Dual) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-78-6 Metal Can Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | |
 |
2N3810L | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA 350mW Long-Lead Dual Small-Signal BJT THT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N3810L |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78
Supplier Device Package: TO-78-6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 350mW
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Packaging: Bulk
Description: TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78
Supplier Device Package: TO-78-6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 350mW
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2N3810L |
|
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA 350mW Long-Lead Dual Small-Signal BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA 350mW Long-Lead Dual Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.