Технічний опис 2N3810L MICROSEMI
Description: TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-78-6 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Power - Max: 350mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: TO-78-6.
Інші пропозиції 2N3810L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N3810L | Microchip Technology |
Description: TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78Packaging: Bulk Package / Case: TO-78-6 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-78-6 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
|
2N3810L | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA 350mW Long-Lead Dual Small-Signal BJT THT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
|
2N3810L | Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 600mW 6-Pin TO-78 Bag |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N3810L |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-78-6
Description: TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-78-6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2N3810L |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA 350mW Long-Lead Dual Small-Signal BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA 350mW Long-Lead Dual Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2N3810L |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 600mW 6-Pin TO-78 Bag
Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 600mW 6-Pin TO-78 Bag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.



