Технічний опис 2N3867 MOT
Description: TRANS PNP 40V 0.003A TO5, Packaging: Bulk, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 2V, Supplier Device Package: TO-5, Current - Collector (Ic) (Max): 3 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції 2N3867
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N3867 | Виробник : MOT |
 CAN |
на замовлення 198 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| 2N3867 | Виробник : MOTOROLA |
|
на замовлення 12950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
2N3867 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 40V 0.003A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag |
товар відсутній |
|
 |
2N3867 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 40V 0.03A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag |
товар відсутній |
|
| 2N3867 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 40V 0.003A TO5 Packaging: Bulk Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 2V Supplier Device Package: TO-5 Current - Collector (Ic) (Max): 3 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1 W |
товар відсутній |
||
| 2N3867 | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товар відсутній |