2N3867S

2N3867S Microchip Technology


77282-lds-0170-datasheet Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 40V 0.003A TO39
Packaging: Bulk
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 2V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N3867S Microchip Technology

Description: TRANS PNP 40V 0.003A TO39, Packaging: Bulk, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 2V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Current - Collector (Ic) (Max): 3 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції 2N3867S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N3867S Виробник : Microchip Technology 77282-lds-0170-datasheet Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній